[13p-D419-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13p-D419-9] Study on crystal and electronic structures of (Ga_xIn_1-x)₂O₃ alloy system

〇Takeshi Hoga^1,2, Akihiro Yamashita^2,3, Toru Asahi³, Toyohiro Chikyow², Takahiro Nagata² (1.NIT (KOSEN), Tsuruoka College, 2.NIMS, 3.Waseda Univ.)

Keywords:Gallium oxide, Indium oxide, Structure control

本研究では、Nb添加SrTiO₃(111)基板上に非平衡薄膜合成手法を用いて(Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体薄膜を作製し、膜内部における電気的特性の評価を行った。その結果、固溶体形成による電子物性制御の可能性を示す結果を得たので報告する。