[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-9] (Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体薄膜における結晶構造および電気的特性の検討

〇宝賀 剛^1,2、山下 晶洸^2,3、朝日 透³、知京 豊裕²、長田 貴弘² (1.鶴岡高専、2.物質・材料研究機構、3.早稲田大)

キーワード：酸化ガリウム、酸化インジウム、構造制御

本研究では、Nb添加SrTiO₃(111)基板上に非平衡薄膜合成手法を用いて(Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体薄膜を作製し、膜内部における電気的特性の評価を行った。その結果、固溶体形成による電子物性制御の可能性を示す結果を得たので報告する。