[13p-PA8-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

[13p-PA8-11] Fabrication and structural analysis of a-CNx:H films formed from the RF plasma CVD of the C₆H₁₂/N₂ gas mixtures

〇(B)ZHENTAO ZHAO¹, Yoshinori Karoh¹, Haruhiko Ito¹ (1.Nagaoka Univ. of Tech.)

Keywords:Plasma CVD, Amorphous carbon nitride

窒素をキャリアガス、炭化水素を原料とした高周波プラズマCVD法により、10％程度以下の窒素含有量の水素化アモルファス窒化炭素(a-CNx:H)薄膜を作製することができると報告されている。本研究では原料としてシクロヘキサンを用いて、高い窒素含有率を持つa-CNx:H薄膜を作製した。アモルファス窒化炭素の硬さは窒素含有率([N]/([N]+[C]))と相関があり、窒素含有率が高いほど膜の硬度が高くなると予想されているため、本実験では高周波印加電力を変えて薄膜を作製し窒素含有率を変化させて作製された薄膜の構造解析を行った。