[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-12] 酸素イオン注入したGaN層の電気特性評価

〇福島 悠太¹、田中 亮¹、稲本 拓朗¹、上野 勝典¹、高島 信也¹ (1.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、MOSFET、イオン注入

縦型GaNプレーナゲート型MOSFETのJFET抵抗低減のためには、n型注入しキャリア濃度を増加させる必要がある。今回、n型ドーパントとして酸素の注入を検討した。電気特性はSBDを形成して評価した。1100℃熱処理品はオン抵抗が極端に高くなり、活性化不足が示唆された。一方1300℃熱処理品は、C-V評価により、元のエピよりも高いドナー濃度が検出され、活性化率は30%程度であった。