[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-11] Characterization of ICP-RIE-processed n-GaN surface using an electrochemical method

Kentaro Takeda¹, Shinji Yamada^2,3, Masachika Toguchi¹, Tetsu Kachi², 〇Taketomo Sato¹ (1.Hokkaido Univ. RCIQE, 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, electrochemical characterization, ICP-RIE

n-GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学（PEC）反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場（in-situ）評価する手法を開発した。ICP-RIE加工面に対して本手法を適用し、バイアスパワー（P_bias）とn-GaN表面近傍に導入される損傷深さとの相関について検討した。