[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-23] 3次元スケーリングによるスーパージャンクションIGBTの性能向上

〇柏嶋 始¹、福井 宗利¹、竹内 潔¹、小林 正治^1,2、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、スーパージャンクション、スケーリング

IGBTのドリフト層にスーパージャンクション構造を導入したデバイスはスーパージャンクションIGBTと呼ばれ、従来ののIGBTに比べ、大幅なターンオフ損失の低減が可能であることが知られている。本研究ではスーパージャンクションIGBTのエミッタ構造にCMOSで行われるようなスケーリング則を適用することで、更なる性能向上が可能であることを示すことに成功したので報告する。