[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-24] High Frequency and Noise Analyses of In_0.78Ga_0.22Sb Channel HEMTs by Monte Carlo Simulation

〇Konosuke Kumasaka¹, Shusaku Shirai¹, Satoshi Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.TUS)

Keywords:HEMT, InGaSb, Monte Carlo Simulation

チャネル層にIn_0.78Ga_0.22Sb及びInSbを用いたHEMTのモンテカルロシミュレーションを行い、高周波特性及び雑音特性の比較を行った。トランジスタの真性成分に関してはInSbチャネルHEMTが高周波低雑音デバイスとしてやや優位である。一方、In_0.78Ga_0.22Sb HEMTはInSb HEMTに比べシート抵抗が59%減少するという結果が報告されている。従って、遮断周波数(f_T)に関しては寄生成分を考慮することで、In_0.78Ga_0.22Sb HEMTはInSb HEMTで大小が逆転する可能性がある。