[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-25] Preliminary evaluation on surge withstand of SiC-SBD, and its protection effect

〇Hajime Akiyama¹, Hashimoto Yuichi², Sano Hiroshi² (1.NCT-Fukui college, 2.ITC-Fukui pref.)

Keywords:SiC, Schottky Barrier Diode, ZnO surge absorber device

ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスのサージ耐量を向上させると
共に実装密度の高密度化を図ることを目的としてデバイス内蔵型サージ
保護デバイスの開発を検討している。今回は予備的な調査として市販品
（SiC-SBD、ZnOサージアブゾーバ）をサンプルとしたサージ耐量試験を行ったので
その結果を報告する。尚比較サンプルとしてSi-Diode（PiN）についても同様
の試験を行ったので併せて報告したい。