[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-18] High Temperatures Properties in Recessed Normally-On AlGaN/GaN HFETs

〇(M1)Yoshiki Yajima¹, Keiya Sato¹, Shunsuke Kunitomo¹, Yasuharu Kiyoto¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Tech., 2.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaN, FET

AlGaN/GaN ヘテロ構造FET（HFET）においてリセス構造は、特にノーマリーオフ型のデバイス動作を実現するためにゲート電極下に適用されることが多い。前回我々はノーマリーオン型のデバイスとして、ソース・ドレイン電極間領域にリセスを施した作製プロセスの容易なリセス構造を適用したデバイスを作製したところ、Non-recessed HFETよりもソース抵抗の小さい良好なデバイス特性が得られたことを報告した[1]。そこで今回、前記のHFETの高温特性の評価を行った。