[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-19] Evaluation of Current Collapse in Recessed Normally-On AlGaN/GaN HFETs

〇(M1)Shunsuke Kunitomo¹, Keiya Sato¹, Yasuharu Kiyoto¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Tokyo, 2.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaN, FET

AlGaN/GaNヘテロ構造（HFET）においてリセス構造は、特にノーマリーオン型のデバイス動作を実現するためにゲート電極下が適用されることが多い。前回我々はノーマリーオン型のデバイスとしてソース・ドレイン電極間領域にリセスを施したデバイスを作製したところ、Non-recessed HFETよりもソース抵抗の小さい良好なデバイス特性を報告した。そこで今回、前記のリセス構造HFETの電流コラプスを評価したところ、コラプスの小さい魅力的な特性が得られた。