[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-2] Influences of V/III ratio for growth of GaN on AlN or GaN templates by RF-MBE

〇Naozumi Tachibana¹, Mari Hashimoto¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Takeyoshi Onuma¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, 5/3 ratio

RF-MBE法を用いてV/III比を変化させGaNを成長させV/III比が及ぼす影響を調査した。テンプレート基板としてMOCVD法によってc面サファイア基板上に成長されたGaNと、HVPE法によってc面サファイア基板上に成長されたAlNを用いた。測定方法は結晶性や表面平坦性、発光特性、電気的特性を調査するためにAFM、分光エリプソメトリー、XRD、PL、ホール効果測定を用いた。