[14a-A302-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14a-A302-2] Design of high photon extraction efficiency Bullseye structures for GaN quantum dots

〇Tomoyuki Aoki¹, Kang Gao², Munetaka Arita², Yasuhiko Arakawa², Mark Holmes^1,2 (1.IIS,Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine, UT)

Keywords:nitride semiconductor, single photon

半導体量子ドットを用いた単一光子源の実現を考えるうえで、半導体量子ドットから放出された光子は、その多くが半導体の外に出ずに内部で反射されてしまい、取り出すのが困難であるという問題がある。本研究ではIII族窒化物量子ドットにおいてこの問題を解決する為に、円環型DBR層により高い取り出し効率が得られるBullseye構造のパラメータを、シミュレーションによってさらに最適化した。これにより、光子取り出し効率を80 %以上に向上することが出来た。これは、窒化物量子ドットを用いた単一光子源において理論上最高値である。