[14a-A305-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[14a-A305-10] Development of Minimal Ion Implantation Tool (II)

〇Noriko Miura¹, Naoki Hashimoto^1,2, Yoshitaka Kitamura^1,2, Fumito Imura^1,3, Kazushige Sato¹, Kazuhiro Koga¹, Yuuki Ishida^1,3, Toshiyuki Oodaira^1,3, Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.MINIMAL, 2.FUJI IMVAC INC., 3.AIST)

Keywords:minimalfab, Ion Implantation

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っている。装置を小型化するために、イオン発生器側を接地電位としてステージ側に負の電圧をかけることで高電圧の絶縁を極小化し、狭い筐体内に部品を密接して配置することを可能にしたが、その反面、ステージ側のイオン電流測定が困難となった。本研究では、高電圧電位で使用可能な微少電流計を開発し、注入量の制御を図ったので、その結果について報告する。