[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-10] ミニマルイオン注入装置の開発 (II)

〇三浦 典子¹、橋本 直樹^1,2、北村 是尊^1,2、居村 史人^1,3、佐藤 和重¹、古賀 和博¹、石田 夕起^1,3、大平 俊行^1,3、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジインバック、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、イオン注入

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っている。装置を小型化するために、イオン発生器側を接地電位としてステージ側に負の電圧をかけることで高電圧の絶縁を極小化し、狭い筐体内に部品を密接して配置することを可能にしたが、その反面、ステージ側のイオン電流測定が困難となった。本研究では、高電圧電位で使用可能な微少電流計を開発し、注入量の制御を図ったので、その結果について報告する。