[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-5] ボッシュプロセスにおけるエッチング側壁の平坦化技術

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、Khumpuang Sommawan^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ボッシュプロセス、ミニマル、深掘りエッチング

ボッシュプロセスは、対マスク選択比が非常に高いことも特徴の1つである。特にレジストエッジ部が波打っている場合は、エッチング側壁面へエッチング進行方向にその波打ちを反映した縦縞模様となって現れてしまう問題があった。これに対し、マスクとSi基板の界面をArプラズマでスパッタ処理したところ、エッチング側面の平坦性が改善された。マスクを丁寧に造り込むことは、高品質な深掘りエッチングを行う上で効果的だった。