[14a-A305-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[14a-A305-9] TiN Film Characteristics Deposited by Minimal Fab Reactive Sputtering Tool (4)

〇Shuichi Noda¹, Kazuhiro Koga², Fumito Imura¹, Kazumasa Nemoto¹, Yuuki Yabuta³, Yamamoto Naoko³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogyo)

Keywords:minimalfab, TiN metal gate, TiN reactive sputter

ミニマルファブではTiNメタルゲートSOI CMOSの製作が可能となり、TiN反応性スパッタ装置の実用化検討も最終段階に入りつつある。このため、TiN膜の品質、プロセス安定性およびコスト検討が急務である。分光エリプソメトリを用いた誘電関数解析によるTiN膜質評価および大面積MOSトランジスタのC-V測定によるV_FB測定手法とこれを用いたTiN成膜プロセス安定性の評価を行っている。