[14a-A402-1~9] 12.5 有機太陽電池

[14a-A402-2] 高純度化材料を用いたスズ系ペロブスカイト半導体膜の作製とバンド構造制御

〇(M1)大塚 健斗¹、Liu Jiewei¹、半田 岳人¹、中村 智也¹、Murdey Richard¹、金光 義彦¹、若宮 淳志¹ (1.京大化研)

キーワード：鉛フリーペロブスカイト、蛍光寿命、臭化スズ錯体

我々はペロブスカイト前駆体材料としてSnBr2錯体を用いると、市販のSnBr2を用いた場合に比べて、蛍光スペクトルの強度が増加し、蛍光寿命が伸びることを見出した。このSnBr2錯体をSn2+およびBr–源として用いて、ASnX3のAサイトとXサイトに様々なイオンを組み合わせた (A = MA+, FA+, Cs+; X = I–, Br–) 一連の薄膜材料を作製し、スズペロブスカイト太陽電池における電荷取り出し層材料との電子順位の制御と高性能化の観点から、これらの物性評価を系統的に検討した。