2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2020年3月14日(土) 09:00 〜 11:45 A410 (6-410)

江藤 数馬(産総研)

10:45 〜 11:00

[14a-A410-7] SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較

加藤 正史1、片平 真哉1 (1.名工大)

キーワード:SiC、キャリア寿命、測定法

SiCのキャリア寿命評価法としてマイクロ波光導電減衰法と時間分解フォトルミネッセンス法が一般的である。それらの手法は用いているプローブが異なるため、同じ試料を測定しても信号が異なる。それゆえ、キャリア寿命を正確に評価するためには、それぞれの手法の特徴を理解する必要がある。特に、試料のドーピング密度よりも励起キャリア密度が大きい高注入条件では、両手法で得られる減衰曲線に大きな相違が現れる。本研究では両手法の相違が何に起因するかを整理することで、SiCエピ膜内部のキャリア再結合過程を議論する。