[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14a-A410-9] 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

〇福井 琢也¹、長屋 圭祐¹、俵 武志²、加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研)

キーワード：半導体、スーパージャンクション構造、シリコンカーバイド

4H-SiC パワーデバイスにおいて、キャリアライフタイムは性能と信頼性に寄与する重要なパラメータである。オン抵抗を下げるためのスーパージャンクション(SJ)構造は、nドリフト層にp層を注入する為キャリアライフタイムに影響を与える可能性がある。そこで本研究では、高空間分解能の自由キャリア吸収(FCA)法を用いて、SJ構造のキャリアライフタイムを評価した。