[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-4] Depth profiling of deep-level traps in GaN introduced by high-temperature thermal treatment with SiN cap layer

〇Satomu Furuta¹, Masahiro Horita^1,2, Nariaki Tanaka³, Tohru Oka³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.Toyoda Gosei)

Keywords:high-temperature thermal treatment, deep level, Gallium nitride

高温熱処理プロセスには欠陥低減効果が期待される一方、新たな欠陥生成の恐れもある。前回、我々のグループはn型GaN成長層に対してSiNキャップ層を形成後に高温熱処理を行うと、GaN表面から深さ方向に分布を持った電子トラップが導入されることを報告した．今回、熱処理の温度を一定として、熱処理時間を細かく変えた試料を用意し、評価することで熱処理時間に対する欠陥の挙動を詳しく調べたので報告する。