[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-5] Mg recoil implantation into GaN with incident Nitrogen ion(5)

〇Toshikazu Yamada¹, Hisashi Yamada¹, Tokio Takahashi², Mituaki Shimizu¹ (1.AIST GaN-OIL, 2.AIST ESPRIT)

Keywords:wide bandgap semiconductor, GaN, recoil implantation method

GaNにおいて、ダメージ吸収とMg供給の２つの役割を持つ層を、バルク層上に積層した上で、そこに窒素原子を注入し、はじき出されたMgがGaNバルク層に入って、イオン注入衝撃を低減したまま、p-GaN層を形成させる事を試している(リコイルインプラテーション)。今回は、比較のためエピ成長させたp-GaNの熱アニールプロセスを評価した。その結果、凝集Mg（極性反転）が全く移動せず、P層の膜厚が有意に増加しているなど、同プロセスが単純でない事が示唆された。