[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-4] SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性

〇古田 悟夢¹、堀田 昌宏^1,2、田中 成明³、岡 徹³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)

キーワード：高温熱処理、深い準位、窒化ガリウム

高温熱処理プロセスには欠陥低減効果が期待される一方、新たな欠陥生成の恐れもある。前回、我々のグループはn型GaN成長層に対してSiNキャップ層を形成後に高温熱処理を行うと、GaN表面から深さ方向に分布を持った電子トラップが導入されることを報告した．今回、熱処理の温度を一定として、熱処理時間を細かく変えた試料を用意し、評価することで熱処理時間に対する欠陥の挙動を詳しく調べたので報告する。