[14a-D221-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14a-D221-6] Study of n-layer Thickness Effects on Low temperature Electrical Characteristics of Diamond Schottky-pn Diodes

〇Ayumu Karasawa¹, Toshiharu Makino^1,2, Aboulaye Traore¹, Hiromitsu Kato², Masahiko Ogura², Yukako Kato², Daisuke Takeuchi², Satoshi Yamasaki^1,2, Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:diamond, power device, diode

ダイヤモンドを用いたパワーデバイス設計によく用いられるホッピング伝導層とバンド伝導層の接合を持ったダイヤモンドSchottky-pnダイオードを用いて、電気特性の膜厚依存性について研究した。
そして、この接合での低温領域におけるキャリア伝導機構を解明した。