[14a-D411-1~7] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14a-D411-1] Thermal image analysis of the formation process of silicon protrusions in surface liquid phase epitaxy under locally applied tensile stress

〇Takashi Nishimura¹, Fumiya Isobe¹, Masahiko Tomitori² (1.Suzuka college, 2.JAIST)

Keywords:surface liquid phase epitaxy, thermal image analysis

局所応力印加下でSi(100)ウェーハを1280℃程度に1秒間，通電加熱すると局所的に表面融液が形成し，その融液がエレクトロマイグレーションにより通電電流方向へ移送され，低温域で液相エピ成長し突起構造が形成された．成長後の表面構造をSEM観察すると，直径410 μmΦ程度の溶融痕と高さ58μmの突起構造が存在した．今回，局所表面液相エピ成長の成長過程を熱画像カメラで解析し，表面突起構造の形成過程を調べた.