[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-D419-2] 高濃度H2O2ガス供給装置(Peroxidizer®)を用いたAl2O3-ALD成膜プロセス

土渕 岳¹、〇水野 理規¹、安達 啓輔¹、村田 逸人¹、鈴木 克昌¹、Daniel Alvarez Jr.²、Jeffery Spiegelman² (1.大陽日酸(株)、2.RASIRC inc.)

キーワード：Al2O3、ALD、H2O2

H2O2ガスは次世代の半導体製造プロセス向けの新しい酸化剤として期待されている。本研究ではH2O2ガスのALD成膜プロセスへの適用可否を検討した。一般的に，ALD法は段差被覆性に優れた成膜が可能な一方で，成膜速度が遅いという課題がある。我々は，高濃度H2O2ガスを安定供給できるPeroxidizer®を使用することで，良好な膜質と高スループットの両立を達成した。具体的には，300°Cで Al2O3を成膜したとき，H2Oガス使用時と比較してGPCが約10%向上した。