[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-A302-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Growth of GaN crystals by the point seed technique in a Na-flux method and new trials

〇Masayuki Imanishi¹, Kosuke Murakami¹, Kanako Okumura¹, Kousuke Nakamura¹, Keisuke Kakinouchi¹, Tomoko Kitamura¹, Masahi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:Na-flux method, GaN, bulk

我々は液相成長法であるNaフラックス法を用い、低転位かつ大口径GaN結晶の作製に取り組んできた。近年開発したポイントシード法とFFC法を組み合わせた新手法では、3インチ口径かつ透明性の高い結晶を得ることに成功した。今回はこの新規ポイントシード技術を用いたGaN結晶の更なる大口径化に加え、インクルージョンの低減など最近取り組んでいるトピックについて報告する。