[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [14p-A302-12] The suppression of polycrystal formation by adding oxide gas in the OVPE-GaN growth

〇(B)Ayumu Shimizu¹, Masahiro Kamiyama², Keiju Ishibashi², Shintaro Tsuno², Akira Kitamoto², Masayuki Imanishi², Masashi Yoshimura³, Tomoaki Sumi⁴, Junichi Takino⁴, Yoshio Okayama⁴, Masahiko Hata⁵, Masashi Isemura⁶, Yusuke Mori² (1.Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Panasonic Corporation, 5.Itochu Plastics Inc., 6.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:OVPE, Gallium nitride, Crystal Growth

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、固体の副生成物が生成しないため、原理的に長時間の成長が期待できる。しかし現状では、100µm/ｈ以上の高速成長条件では基板上多結晶が厚膜化を阻害するという問題がある。そこで本研究では、多結晶の原因としてGaNの分解により生じるGa dropletに着眼し、キャリアガスに酸化物ガスを添加することによってGa droplet由来の多結晶発生の抑制について試みた。