[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-A302-13] Control of Lattice-relaxation for InGaN Thick Films by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy

〇Ryohei Hieda¹, Kentaro Ema¹, Hisashi Murakami¹, Akinori Koukitu¹ (1.TUAT)

Keywords:InGaN, THVPE

原料に金属三塩化物を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法によるInGaN 成長における緩和状態の制御を試みた。直径、パターン間隔の異なる2種類のコーン型PSSを用いてGaN 中間層を挿入することでInGaN 厚膜成長を行い、InGaN成長層の緩和率を比較・調査した。その結果、GaN中間層の結晶品質や応力の状態を変化させることにより、InGaN層の緩和状態を制御できる可能性が示された。