[14p-A305-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [14p-A305-4] On-site Si₂H₆ gas generation from solid Si by hydrogen plasma

〇(M2)Keiichi Hamanaka¹, Taniguchi Daisuke¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:plasma, disilane, Si

本研究では、固体Siと水素プラズマの反応により、SiH₄に比べ高付加価値なSi₂H₆のオンサイト生成を狙い、種々のプロセス条件を変化させた際のSi₂H₆生成挙動を調査するとともに、ボンベ供給されるSiH₄をプラズマ中で処理した際のSi₂H₆生成挙動との比較により、本手法におけるSi₂H₆生成機構を検討した。その結果、固体Si表面上での反応がSi₂H₆の生成に大きく寄与することを示唆する結果を得た。