[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [14p-A305-5] エピタキシャルHfGe₂形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減

〇千賀 一輝¹、柴山 茂久¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名古屋大未来研)

キーワード：コンタクト抵抗率、HfGe2、TLM