[14p-A405-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-A405-4] X線非弾性散乱法によるSi_1-xGe_x薄膜のフォノン分散評価

〇南部 英¹、内山 裕士²、籔内 真¹、小田 克矢¹、早川 純¹ (1.日立製作所　研究開発グループ、2.JASRI)

キーワード：フォノン分散、X線非弾性散乱、熱伝導

X線非弾性散乱法（Inelastic X-ray Scattering：IXS）を用いて単結晶Si_1-xGe_x(X=0.1, 0.2)薄膜のフォノン分散評価を行った結果を報告する。Γ-Χ点に沿った音響フォノンの分散評価を行い、純Siでは観測されないΧ点付近でのフォノン線幅の広がり、測定全領域渡る15 meV付近の分散レスフォノンモードなどが観測されており、講演ではこれらに関する考察結果を報告する。