[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-B401-17] 縦型2DHGダイヤモンドMOSFETパワーデバイス応用に向けた大電流動作(-3.4 A)の実現

〇(B)新倉 直弥¹、岩瀧 雅幸¹、西村 隼¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、縦型、FET

我々は2次元正孔ガス(2DHG)を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETを作製し大電流動作(ドレイン電流 I_DS=-1.6 A{@ゲート幅 W_G = 20 mm})を報告してきた。本研究は相補型インバータへの応用に向けた更なる大電流動作の実現のためW_Gを100 mmまで増加させた連結デバイスを作製し、電流特性を評価した。その結果I_DS=-3.4 Aの大電流動作を実現した。