[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-2] Investigation of inversion channel mobility in GaN vertical trench MOSFET

〇(M1)KyungPil NAM¹, Takashi Ishida^1,2,3, Matys Maciej², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ, 2.Nagoya Univ.IMaSS, 3.Toyota Motor Coporation)

Keywords:Vertical Trench MOSFET, Inversion Channel Mobility

近年、低損失、高出力なパワーデバイスの開発はパワーエレクトロニクス技術の発展に必要不可欠である。そこで、GaNの優秀な物質特性を用いた、GaN縦型トレンチMOSFETが次世代のパワーデバイスとして期待されている。我々は、高性能のGaN縦型トレンチMOSFETの実現を目指し、トレンチMOSFETを試作し、評価を行い、性能向上のための研究を行った。
高性能のトレンチMOSFETの実現のためには、チャネルの理解及び、トレンチ側の界面改善が重要である。そのことから、トレンチ部分の異なる作製プロセスのトレンチMOSFET試作し、チャネル移動度を抽出及び、チャネルにおける散乱機構の調査を行った。また、同じ条件のトレンチ作製プロセスを用い、MOSキャパシタを作製し、絶縁膜/ドリフト層の界面特性の評価を行った。この結果より、界面特性がチャネル移動度に影響を与えることを確認した。