[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-2] 様々な条件で作製したGaN縦型トレンチMOSFETの反転チャネル移動度

〇(M1)NAM KyungPil¹、石田 崇^1,2,3、Maciej Matys²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院、2.名大未来研、3.トヨタ自動車)

キーワード：縦型トレンチMOSFET、反転チャネル移動度

近年、低損失、高出力なパワーデバイスの開発はパワーエレクトロニクス技術の発展に必要不可欠である。そこで、GaNの優秀な物質特性を用いた、GaN縦型トレンチMOSFETが次世代のパワーデバイスとして期待されている。我々は、高性能のGaN縦型トレンチMOSFETの実現を目指し、トレンチMOSFETを試作し、評価を行い、性能向上のための研究を行った。
高性能のトレンチMOSFETの実現のためには、チャネルの理解及び、トレンチ側の界面改善が重要である。そのことから、トレンチ部分の異なる作製プロセスのトレンチMOSFET試作し、チャネル移動度を抽出及び、チャネルにおける散乱機構の調査を行った。また、同じ条件のトレンチ作製プロセスを用い、MOSキャパシタを作製し、絶縁膜/ドリフト層の界面特性の評価を行った。この結果より、界面特性がチャネル移動度に影響を与えることを確認した。