[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-3] Study on sputtered n+GaN for fabricating source regions of trench MOSFETs

〇Takashi Ishida^1,2,3, Tetsuya Shinozaki⁴, Masanori Shirai⁴, Satoru Takasawa⁴, Jun Suda^1,3, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Toyota Motor Corp., 3.Nagoya Univ., 4.ULVAC)

Keywords:nitride, MOSFET, on-resistance

縦型GaNトレンチMOSFETの低オン抵抗化を実現するためには、ソース領域のコンタクト抵抗とシート抵抗の低減が必要である。従来、ソース領域形成方法としては、エピ成長やイオン注入が用いられているが、エピ成長ではソース領域下のp-GaNの脱水素が難しいこと、イオン注入では下地のp-GaNへの注入ダメージが問題となり得る。そこで我々は上記問題を解決すべく、スパッタ法によるソース領域形成を検討したのでその進捗を報告する。