[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [14p-B401-4] Electrical characteristics of HfSiO_x-gate AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Ryota Ochi¹, Erika Maeda^2,3, Toshihide Nabatame², Koji Shiozaki⁴, Tamotsu Hashizume^1,4 (1.Hokkaido Univ., 2.NIMS, 3.SIT, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, HEMT, RF power amplifiers

GaN系HEMTは高周波パワーアンプとして期待されている。高周波増幅時の大振幅動作では順バイアスでのリーク電流を抑制するためにMIS構造が望ましい。絶縁膜には、high-k膜を用いることが選択肢の一つである。これまで、Al₂O₃-gate MOS-HEMTの特性を報告してきた。最近、より高い誘電率を持つHfリッチなHfSiO_x膜を用いたn-GaN MOSキャパシタにおいて良好な特性が報告されている。そこで、本研究では、HfSiO_x/AlGaN/GaN MOS-HEMTの特性評価を行った。