[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-B401-4] HfSiO_xゲート AlGaN/GaN MOS-HEMTの電気的特性評価

〇越智 亮太¹、前田 瑛里香^2,3、生田目 俊秀²、塩崎 宏司⁴、橋詰 保^1,4 (1.北大量集センター、2.物材機構、3.芝浦工大、4.名大IMaSS)

キーワード：GaN、高電子移動度トランジスタ、高周波増幅器

GaN系HEMTは高周波パワーアンプとして期待されている。高周波増幅時の大振幅動作では順バイアスでのリーク電流を抑制するためにMIS構造が望ましい。絶縁膜には、high-k膜を用いることが選択肢の一つである。これまで、Al₂O₃-gate MOS-HEMTの特性を報告してきた。最近、より高い誘電率を持つHfリッチなHfSiO_x膜を用いたn-GaN MOSキャパシタにおいて良好な特性が報告されている。そこで、本研究では、HfSiO_x/AlGaN/GaN MOS-HEMTの特性評価を行った。