[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-7] ALDにより成膜したSiO₂/Al₂O₃ 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

〇横井 駿一¹、古岡 啓太¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、原子層堆積法

Al₂O₃とSiO₂を用いて2層絶縁膜を形成することにより、ゲートリーク電流の低いMIS構造を作製することができると考えられ、研究報告がなされている。しかし、2層を共に原子層堆積により作製した報告は十分になされていない。本研究ではデバイス特性の良いMIS-HEMTを作製することを目的とし、ALD-SiO₂/Al₂O₃/ AlGaN/GaN MIS-HEMTの作製・I-V特性の評価を行った。さらに、ノーマリオフ化を図るため、2層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し電気特性を評価した。