[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-8] Device characteristics of AlGaN-channel HFETs with improved Ohmic contact resistanc

〇Makoto Miyoshi¹, Heng Chen¹, Saki Saito¹, Akiyoshi Inoue¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:AlGaN-channel, HFET, Contact resistance

AlGaNチャネルHFETは、非常に高いOFF耐圧特性を示すことから次世代のパワーデバイスとして有望であるが、そのポテンシャルを十分に引き出すには極端に高いコンタクト抵抗を低減し、ON特性を向上させていく必要がある。我々はこれまでに、高温のデバイスプロセスに耐える結晶質と高濃度2DEGを有するAlGaInN/AlGaNヘテロ構造を実現、これに高温のアロイ処理を施すことでデバイス特性の改善が得られたことを報告した。また、前回の秋応物では、層構成と熱処理温度を最適化したTi/Al/Ti/Au電極を用いることで、コンタクト抵抗のさらなる低減に成功したことを報告している。今回は、このTi/Al/Ti/Au電極を用いたAlGaInN/AlGaN HFETを試作し、室温ならびに200℃までの高温デバイス特性を評価したので報告する。