[14p-D305-1~8] Progresses and future on EUV and soft x-ray imaging techniques

[14p-D305-5] 1200X review function of EUV mask blank inspection systems

〇Kiwamu Takehisa¹, Tomohiro Suzuki¹, Hiroki Miyai¹, Haruhiko Kusunose¹ (1.Lasertec Corporation)

Keywords:lithography, EUV mask, mask inspection

当社ではEUVマスクブランクスの位相欠陥を検出できる検査装置として、波長13.5 nmのアクティニック光源を用いたABICS E120を製品化している。本製品では、検出した微小な欠陥を1200倍もの高倍率で拡大して、欠陥形状や欠陥座標を正確に計測できる機能を有している。
欠陥座標を正確に把握することは、欠陥の直上に吸収体を配置する手法の実現に不可欠である。この手法により、ウエハ面にパターン露光する際に、位相欠陥は投影されないことになる。さらに本手法の確立により、従来実現が極めて困難であった無欠陥ブランクスが不要になったことも、EUVリソグラフィーの実用化に大きく貢献している。