[14p-D305-1~8] EUV・軟X線イメージングの描く未来

[14p-D305-7] 軟X線・EUV用CMOSイメージセンサの開発

〇寺西 信一^1,2、原田 哲男¹、渡邊 健夫¹、Zhou Quan³、木村 雅俊³、Bogaerts Jan³、Wang Xinyang³ (1.兵庫県立大学LASTI、2.静岡大学電子工学研、3.Gpixel Inc.)

キーワード：イメージセンサ、軟X線、EUV

軟X線EUV用途の高量子効率で高X耐性な裏面照射型CMOSイメージセンサを開発した。画素サイズ：11 μm角、画素数：2048 x 2048、フレームレート：48 fps、読出ノイズ：2.5電子rmsである。5 nm厚の不感層を実現し、80-1,000 eVにおいて90 %以上の量子効率を達成した。シリコン厚を9.5 μmにすることで、600 eV以下でX線耐性が得られている。