[14p-PB2-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-PB2-5] Annealing process dependence of directly bonded InP/Si substrate

〇(B)Motonari Sato¹, Takuto Shirai¹, Takahiro Ishizaki¹, Koki Tsushima¹, Kota Shibukawa¹, Keita Hujiwara¹, Xu Han¹, Masaki Matsuura¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, optical interconnection, optical communication

現在、移動通信システムの発達によって通信容量が増加し、電気配線における発熱や消費電力の増大が問題となっている。そこで、電気配線を光配線に置き換えるシリコンフォトニクスに関する研究が盛んにおこなわれてきた。これに対し、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた。
今回、InP/Si基板作製におけるアニール処理の方法を変化させ、基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡で観察し、その上に成長したMQWレーザ構造の電気特性の評価を行ったので報告する。