[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-5] 直接貼付InP/Si基板の加熱処理プロセスの依存性について

〇(B)佐藤 元就¹、白井 琢人¹、石崎 隆浩¹、対馬 幸樹¹、澁川 航大¹、藤原 啓太¹、韓 旭¹、松浦 正樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

現在、移動通信システムの発達によって通信容量が増加し、電気配線における発熱や消費電力の増大が問題となっている。そこで、電気配線を光配線に置き換えるシリコンフォトニクスに関する研究が盛んにおこなわれてきた。これに対し、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた。
今回、InP/Si基板作製におけるアニール処理の方法を変化させ、基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡で観察し、その上に成長したMQWレーザ構造の電気特性の評価を行ったので報告する。