[15a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A201-4] Electrical Resistivity and Hall Coefficient in Al-Doped p-Type 4H-SiC Epilayers
with Al Concentration of First Half of 10²⁰ cm^-3.

〇(B)Yuki Kondo¹, Akinobu Takeshita¹, Tatsuya Imamura¹, Kota Takano¹, Kazuya Okuda¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Kazutoshi Kojima², Tomohisa Kato², Sadafumi Yoshida², Hajime Okumura² (1.Osaka Electro-Communication Univ., 2.AIST Advanced Power Electronics Research Center)

Keywords:p-Type 4H-SiC, Electrical Resistivity, Hall Coefficient

SiCを用いたオン抵抗の低いパワーデバイスであるnチャネルInsulated-Gate Bipolar Transistorのため、Al濃度（C_Al）が10¹⁹ cm^-3以上のp型4H-SiCの電気的特性を調べてきた。特に、Al濃度が10²⁰ cm^-3前半では300 Kでの電気抵抗率が減少しないことが分かった。今回は、C_Alが10²⁰ cm^-3前半の伝導機構について詳細に検討した。また、300 Kで抵抗率の減少しないC_Alの範囲でのHall係数の温度依存性（R_H(T)）を調べた。