[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-4] Al 濃度10²⁰ cm^-3台前半のp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率とHall係数

〇(B)近藤 佑樹¹、竹下 明伸¹、今村 辰哉¹、高野 晃大¹、奥田 和也¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.大阪電通大、2.産総研 先進パワエレ研)

キーワード：p型4H-SiC、電気抵抗率、Hall係数

SiCを用いたオン抵抗の低いパワーデバイスであるnチャネルInsulated-Gate Bipolar Transistorのため、Al濃度（C_Al）が10¹⁹ cm^-3以上のp型4H-SiCの電気的特性を調べてきた。特に、Al濃度が10²⁰ cm^-3前半では300 Kでの電気抵抗率が減少しないことが分かった。今回は、C_Alが10²⁰ cm^-3前半の伝導機構について詳細に検討した。また、300 Kで抵抗率の減少しないC_Alの範囲でのHall係数の温度依存性（R_H(T)）を調べた。