[15a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A201-8] Elucidation of Ohmic Contact Formation Mechanism of 4H-SiC with Silicon-Cap-Annealing

〇Daichi Todo¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, Ohmic contact, Schottky barrier diode

近年、省エネルギー化が図れるシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスが注目を浴びており、プロセス技術の研究が盛んに行われている。我々はこれまでにn型4H-SiC上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニーリング(SiCA)を行うことで、Si層を除去した後も電極金属を堆積しただけでオーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究では、SiCAをSiC表面に行ったショットキーバリアダイオード(SBD)を作成し、オーミックコンタクトの形成要因を調査した。