[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-8] シリコンキャップアニーリングを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成メカニズムの解明

〇東堂 大地¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：SiC、オーミックコンタクト、ショットキーバリアダイオード

近年、省エネルギー化が図れるシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスが注目を浴びており、プロセス技術の研究が盛んに行われている。我々はこれまでにn型4H-SiC上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニーリング(SiCA)を行うことで、Si層を除去した後も電極金属を堆積しただけでオーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究では、SiCAをSiC表面に行ったショットキーバリアダイオード(SBD)を作成し、オーミックコンタクトの形成要因を調査した。