2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2020年3月15日(日) 09:00 〜 12:30 A305 (6-305)

渡邉 孝信(早大)、喜多 浩之(東大)

10:45 〜 11:00

[15a-A305-7] ペロブスカイト酸化物界面に生じる界面ダイポール層によるバンドアライメント変調効果の検証

田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院工)

キーワード:ダイポール、絶縁膜、ペロブスカイト

ペロブスカイト酸化物界面に電荷層を挿入することによるダイポール効果がショットキー障壁の変化から実験的に示されている。本実験では、導電性酸化物SrRuO3と絶縁性酸化物SrTiO3の界面にLaAlO3を電荷層として挿入し、XPSのカットオフエネルギー測定により0.38eVの高エネルギー側へのシフトを確認した。よってバンドアライメントを意図的に制御した積層構造の形成が可能であると考えられる。