2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2020年3月15日(日) 09:00 〜 12:30 A305 (6-305)

渡邉 孝信(早大)、喜多 浩之(東大)

11:00 〜 11:15

[15a-A305-8] Al2O3/SiO2界面ダイポール層強度の温度依存性と各酸化物の密度の相関

濱口 高志1、喜多 浩之1 (1.東大院工)

キーワード:界面ダイポール層

広い温度範囲での動作を想定したデバイス応用においては、異種酸化膜界面ダイポール層強度の動作温度依存性の制御が重要である。今回は酸化膜の膜質とダイポール層強度の温度依存性の相関を検討した。Al2O3/SiO2界面ダイポール層強度に顕著な温度依存性が見られるのはSiO2とAl2O3の双方が低密度膜である場合に限定されること、界面近傍のSiやAlの化学状態や混合状態はダイポール層強度の温度依存性の大小に影響しないことが示唆された。