[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-9] ALD-ZrO₂/TiO₂/SiO₂ MOS構造から観察されるポテンシャル変調動作

〇浅沼 周太郎¹、住田 杏子¹、宮口 有典²、堀田 和正²、神保 武人²、齋藤 一也²、宮田 典幸¹ (1.産総研、2.アルバック)

キーワード：界面ダイポール変調、ZrO2、ALD

HfO₂/SiO₂ MOS構造を用いた新しいメモリ機構として界面ダイポール変調 (IDM) が提案されている。IDM動作は、EB蒸着法やALD法で形成したHfO₂/SiO₂ 積層構造から観察されており、HfO₂/SiO₂界面に導入した変調層近傍で起こる構造変化がポテンシャル変化を引き起こしていると考えられている。本研究では、ZrO₂/SiO₂積層構造におけるIDM動作の可能性を検討した。